Корпус: МТD2
Номинальный ток: 160А
Ударный ток: 1040А
Обратное напряжение: 1200В
Крит. нараст. напр: 2500В/мкс
Масса, не более: 0,45кг
Силовые полупроводниковые тиристоры предназначены для применения в выпрямителях, инверторах, импульсных регуляторах, преобразователях постоянного и переменного тока, системах возбуждения генераторов и других цепях постоянного и переменного тока. В зависимости от типа прибора тиристоры могут применяться в широтно-импульсных системах пуска и регулирования скорости городского электроподвижного состава, сварочном оборудовании, для комплектования преобразовательных устройств линий электропередачи постоянного тока, для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре и других устройствах.
Наименование параметров и характеристик:
1. Средний ток в прямом направлении при температуре основания 85°C, не более: 160А.
2. Ударный неповторяющийся ток в прямом направлении при длительности 10 мс, не более: 2500А.
3. Повторяющееся импульсное напряжение в обратном направлении (в зависимости от класса), В, не менее: 600-2000.
4. Электрическая прочность изоляции Uэфмежду основанием и силовыми выводами, В, не менее: 2500.
5. Импульсное напряжение в прямом направлении, В, не более: 1,6.
6. Повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более: 25.
7. Критическая скорость нарастания напряжения на аноде в закрытом состоянии, В/мкс, не менее (группа 1-7,0 - не нормируется): 20-1000, 1-7.
8. Время выключения, мкс (группа 1-8, 0 - не нормируется): 500-32, 1-8.
9. Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более:
• при температуре полупроводниковой структуры минус 40°С: 500;
• при температуре полупроводниковой структуры 25°С: 150.
10. Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более:
• при температуре полупроводниковой структуры минус 40°С: 5,0.
• при температуре полупроводниковой структуры 25°С: 1,0.
11. Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не более: 0,25.
12. Вероятность безотказной работы при наработке 1000ч: 0,995.